STMicroelectronics STF40N65M2
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Offizielles DatenblattVor 1 Jahre
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-02-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
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N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPA65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220 / N-Channel 650 V 38A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
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N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF40N65M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
N-Channel 650 V 99 mOhm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
STF40N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 32 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
Mosfet, N-Ch, 650V, 32A, 150Deg C, 25W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF40N65M2
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 56.5nC@ 10 V 1N 650V 99m¦¸@ 16A,10V 32A 2.355nF@100V TO-220FP
650V 32A 99m´Î@10V16A 25W 4V@250Ã×A N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.355 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Number of Elements1
Rds On Max99 mΩ
Turn-Off Delay Time96.5 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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