STMicroelectronics STF21N65M5
$ 2.236
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STF21N65M5 | 37 | 1 | 5h | ||||||||
| DigiKey | 497-11393-5-ND | 304 | 1 | Tube | ||||||||
| Newark | STF21N65M5 | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | STF21N65M5 | 0 | 1K | 5d | ||||||||
| Future Electronics | STF21N65M5 | 0 | 1K | Tape & Reel |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Verwandte Teile
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Mosfet Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF21N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF21N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
30W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 50nC@ 10 V 1N 650V 190m¦¸@ 8.5A,10V 17A 1.95nF@100V TO-220FP 10.4mm
650 V, 0.175 OHM, 17 A TO-220FP N-CHANNEL MDMESH V POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 650V, 17A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.95 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max179 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant