STMicroelectronics STF18N60DM2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF18N60DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 13 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
N-Channel 600 V 295 mOhm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance295 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max295 mΩ
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