STMicroelectronics STD80N10F7
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD60N10S412ATMA1
Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1
InfineonIRFR3607PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.34 Milliohms;ID 56A;D-Pak;PD 140W;VGS +/-2
STMicroelectronicsSTD105N10F7AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD80N10F7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
STD80N10F7 N-channel MOSFET Transistor, 70 A, 100 V, 3-Pin DPAK
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 100V, 70A, TO-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:70A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.5V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max10 mΩ
Rise Time32 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
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