STMicroelectronics STD5NK40ZT4
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Verwandte Teile
onsemiFDD6N50TM-WS
Mosfet Transistor, N Channel, 6 A, 500 V, 0.76 Ohm, 10 V, 5 V |Onsemi FDD6N50TM_WS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD5NK40ZT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL 400V - 1.47 OHM - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
N-Channel 400 V 1.8 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet - TO-252-3
STD5NK40ZT4 N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 400 V, 3-Pin TO-252
N-channel 400 V, 1.45 Ohm typ., 3 A SuperMESH Power MOSFET in DPAK package
Ciiva
400 V-3 A-1.47 OHM DPAK N-CHANNEL ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
45W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 17nC@ 10 V 1individualNChannel 400V 1.8¦¸@ 1.5A,10V 3A 305pF@25V DPAK£¬TO-252-3 SMD mount 6.6mm*6.2mm*2.4mm
Mosfet, N, D-Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:3A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:400V; Resistencia De Activación Rds(On):1.8Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STD5NK40ZT4
MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 1.47ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd: 45W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 3A; On State resistance @ Vgs = 10V: 1.8ohm; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Pulse Current Idm: 12A; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds: 400V; Voltage Vds Typ: 400V; Voltage Vgs Max: 3.75V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage Vgs th Max: 4.5V; Voltage Vgs th Min: 3V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance305 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation45 W
Rds On Max1.8 Ω
Resistance1.8 Ω
Rise Time6 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time22.5 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant