STMicroelectronics STD25NF20
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD25NF20, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive-grade N-channel 200 V, 0.10 Ohm typ., 18 A StripFET Power MOSFET in DPAK package
Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
STD25NF20 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 18 A, 200 V, 3-PIN DPAK
Single N-Channel 200 V 110 W 39 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 200V, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 18A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 110W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: STripFET Series; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance940 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height2.63 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant