STMicroelectronics STB40NF10
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB40NF10, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STB40NF10 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 50 A, 100 V, 3-PIN D2PAK
N - CHANNEL 100V - 0.030W - 40ohm TO-263 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.028ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.8V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Avalanche Single Pulse Energy Eas:150mJ; Current, Idm Pulse:200A; Power Dissipation:150W; Power, Pd:150W; Temperature, Tj Max:175°C; Typ Capacitance Ciss:1780pF; Voltage, Vds Max:100V; Voltage, Vgs th Max:4V; Voltage, Vgs th Min:2V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance28 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.78 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Turn-Off Delay Time84 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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