STMicroelectronics STB21NM60ND
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2019-04-25
LTD Date2019-10-25
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB23NM60ND
N-channel 600 V, 0.150 Ohm, 19.5 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) D2PAK
STMicroelectronicsSTB25NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB21NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in D2PAK package
Power Mosfet, N Channel, 17 A, 600 V, 0.17 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STB21NM60ND N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 600 V, 2+Tab-Pin TO-263
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 600V, 17A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation140 W
Rds On Max220 mΩ
Resistance170 mΩ
Rise Time16 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant