STMicroelectronics STB19NM65N
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
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VishaySIHB15N60E-GE3
Vishay NChannelMOSTube, Vds=600 V, 15 A, D2PAK （TO-263）encapsulation, surface mount
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB19NM65N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
TDK CGA5L4X7R2J333K160AA SMD Multilayer Ceramic Capacitor, 1206 [3216 Metric], 0.033 F, 630 V,10%, X7R, CGA Series
MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.9 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation150 W
Rds On Max270 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time25 ns