STMicroelectronics STB12NM60N
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB15N65M5
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB12NM50ND
N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package
VishayIRFS11N50APBF
IRFS11N50A Series 500 V 7 A 0.52 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB12NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET Transistors N Ch 30V 0.005 Ohm 80A Pwr MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.41ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance410 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance960 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation90 W
Rds On Max410 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time15 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant