STMicroelectronics STB12NM60N
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Verwandte Teile
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VishayIRFS11N50APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB12NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET Transistors N Ch 30V 0.005 Ohm 80A Pwr MOSFET
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.41ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance410 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance960 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation90 W
Rds On Max410 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time15 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant