STMicroelectronics STB11NK40ZT4

Name: STMicroelectronics STB11NK40ZT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB11NK40ZT4

N-Channel 400V - 0.49 Ohm - 9A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET

$ 1.091

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STB11NK40ZT4	1.960	1	Cut Tape	3,440	2,330	1,690	1,390	1,390
Verical	3	STB11NK40ZT4	1.000	3			1,342	1,269	1,041	0,968
Arrow Electronics	3	STB11NK40ZT4	1.000	1		1,677	1,342	1,269	1,041	1,041
DigiKey	3	497-7930-1-ND	944	1	Cut Tape	3,410	2,220	1,539	1,249	1,249
TME	2	STB11NK40ZT4	422	1		2,120	1,510	1,220	1,020	0,910	23h

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Factory Futures

Datasheet17 SeitenVor 20 Jahren

Newark

Farnell

Future Electronics

iiiC

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STB11NK40ZT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 400V - 0.49 Ohm - 9A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET

STMicroelectronics

Power MOSFET, N Channel, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK

Win Source

N-channel 400 V, 0.49 Ohm typ., 9 A SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package

Ciiva

STB11NK40ZT4 N-channel MOSFET Transistor, 9 A, 400 V, 2+Tab-Pin TO-263

RS (Formerly Allied Electronics)

N-Channel 400 V 49 mO 110 W SMT Zener Protected SupeMesh MosFet - D2PAK

Future Electronics

MOSFET, N CH, 400V, 9A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Source Voltage Vds:400V; On Resistance

element14 APAC

N-CHANNEL 400 V, 0.49 OHM, 9 A D2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

Mosfet, N Channel, 400V, 9A, D2Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:4.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:400V; Resistencia De Activación Rds(On):490Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STB11NK40ZT4

Newark

MOSFET, N CH, 400V, 9A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.5A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 0.49ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd: 110W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 10A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 400V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V

Farnell

Bilder

Augswan

Farnell

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

LZChips

Lanka Micro

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)9 A

Current Rating9 A

Drain to Source Breakdown Voltage400 V

Drain to Source Resistance550 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)400 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time18 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance930 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation110 W

Min Breakdown Voltage400 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation110 W

Rds On Max550 mΩ

Resistance550 mΩ

Rise Time20 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage3.75 V

Turn-Off Delay Time40 ns

Turn-On Delay Time20 ns

Voltage Rating (DC)400 V

Dimensions

Height4.6 mm

Length10.75 mm

Width10.4 mm