STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-07-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
Ciiva
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 116A I(D), 650V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 116A, H2PAK-7; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:116A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. of Pins:7Pins; Rds(on) Test Voltage:18V; Power Dissipation:484W RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -6.69%
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals7
Technical
Continuous Drain Current (ID)116 A
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation484 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max24 mΩ
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