STMicroelectronics PD85025C
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics PD85025C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor RF FET N-CH 40V 7A 945MHz 3-Pin Case M-243 Box
25W 13.6V 870MHz LDMOS in M243 ceramic package
UHF BAND Si N-CHANNEL RF POWER MOSFET
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialCeramic
Case/PackageM
MountScrew
Number of Pins243
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Current Rating7 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Frequency945 MHz
Gain15 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Frequency1 GHz
Max Operating Temperature200 °C
Max Output Power30 W
Max Power Dissipation93 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power10 W
PackagingBulk
Power Dissipation93 W
Test Current300 mA
Test Voltage13.6 V
Voltage Rating40 V
Datenblätter und Dokumente
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