STMicroelectronics IRF820
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics IRF820 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2005-12-27
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics IRF820, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 500V - 2.5 Ohm - 4A - TO-220 PowerMESH(TM) II MOSFET
Transistor IRF820 N-Channel MOSFET 500 Volt 4 Amp TO-220
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 / N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
80W(Tc) 30V 4V@ 250µA 17nC@ 10 V 1individualNChannel 500V 3Ω@ 1.5A,10V 315pF@25V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance315 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Rds On Max3 Ω
Rise Time13 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics IRF820 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant