STMicroelectronics BUZ80FI
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics BUZ80FI herunter.
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BUZ80FI, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Resistance4 Ω
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage800 V
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics BUZ80FI herunter.