STMicroelectronics BUL128D-B
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-10-16
LTD Date2025-04-16
Verwandte Teile
onsemiFJP3305H2TU
1Ã×A 400V 75W 4A 8@2A5V 4MHz 1V@4A1A NPN +150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemiKSC5302DTU
TRANS NPN 400V 2A TO220-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 2 A 50 W Through Hole TO-220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BUL128D-B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans GP BJT NPN 400V 4A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
NPN SWITCH-TRANS 400V 4A TO220 RoHSconf
Power Bipolar, NPN, 5V, 500mA, TO-220, Tube
STMicroelectronics SCT
4 A 400 V NPN Si POWER TRANSISTOR TO-220AB
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 70W; DC Collector Current: 4A; DC Current Gain hFE: 12hFE; Transistor Case Style: TO
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
hFE Min12
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation70 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant