STMicroelectronics BUL1203E
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1Ã×A 400V 75W 4A 8@2A5V 4MHz 1V@4A1A NPN +150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
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TRANS NPN 400V 2A TO220-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 2 A 50 W Through Hole TO-220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BUL1203E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
550V 100W 5A 9@2A5V 1.5V@3A1A NPN +150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 550V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB / TRANS NPN 550V 5A TO-220
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TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 550V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Continuous Collector Current Ic Max: 5A; Curre
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage550 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)550 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
hFE Min9
Max Collector Current5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation100 W
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant