STMicroelectronics BD679
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Lieferkette
Country of OriginIndia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BD679, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BD6xxx Series NPN 80 V 4 A Complementary Power Darlington Transistor - SOT-32
TRANSISTOR, DARLINGTON, NPN, POWER, SWITCH, VO 80V, VI 5V, IO 4A, PD 40W, SOT-32
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-126; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; Transistor Case Style:TO-126; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Av Current Ic:4A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic Continuous a Max:4A; Current Ic hFE:1.5A; Device Marking:BD679; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:750; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-126; Power Dissipation Ptot Max:40W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:80V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation40 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height11.05 mm
Length7.8 mm
Width2.9 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant