STMicroelectronics BD437
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | 3D | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginIndia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BD437, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANS NPN 45V 4A SOT-32 / Trans GP BJT NPN 45V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BD437 NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 4 A, 45 V, 3-PIN SOT-32
BD437 Series 45 V 2 A Flange Mount Complementary Silicon Power Transistor-SOT-32
; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V; Continuous Collector Current, Ic:4A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):0.6V; Power Dissipation, Pd:36W; DC Current Gain Min (hfe):40 ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN, TO-126; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency Typ ft:3MHz; Power Dissipation Pd:36W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:140; Transistor Case Style:TO-126; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:600mV; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic Continuous a Max:4A; Current Ic hFE:2A; Device Marking:BD437; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-126; Power Dissipation Pd:36W; Power Dissipation Ptot Max:36W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:45V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min40
Max Collector Current4 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation36 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Dimensions
Height10.8 mm
Length7.8 mm
Width2.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant