STMicroelectronics BD136-16
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BD136-16, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
45V 12.5W 1.5A 40@150mA2V 500mV@500mA50mA PNP +150¡Í@(Tj) SOT-32 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BD136-16 PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5 A, 45 V, 3-PIN SOT-32
BD136 Series 45 V 1.5 A 1.25 W Through Hole PNP Low-Voltage Transistor - SOT-32
Trans Bjt Single, Pnp, 45V, 1.5A; |Stmicroelectronics BD136-16
STMicroelectronics PNPTransistor, SOT-32encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current-1.5 A, maximum collector-emission voltage-45 V
TRANSISTOR, PNP, SOT-32; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 1.25W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Case Style
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.25 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency75 MHz
Dimensions
Height10.8 mm
Length7.8 mm
Width2.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant