STMicroelectronics BC107
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1990-02-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2011-10-19
LTD Date2012-04-19
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BC107, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANS NPN 45V 0.1A TO18 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300 mW Through Hole TO-18
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18
NPN Transistor, 300mW 6V 15nA 50V 45V 100mA TO-18, TH, 5.8mm × 5.8mm × 5.3mm
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin TO-18 Bag
TRANSISTOR, NPN TO-18; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 110hFE; Transistor Case Style
Audio Power Amplifier IC; No. of Channels:1; Package/Case:3-TO-18; No. of Pins:3; Leaded Process Compatible:Yes; Termination Type:Through Hole; Collector Current @ hfe:0.1µA; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-18
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min110
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation600 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
TerminationThrough Hole
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height5.3 mm
Length5.8 mm
Width5.8 mm
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