STMicroelectronics A2C25S12M3-F
$ 58.79
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics A2C25S12M3-F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 197W 35-Pin ACEPACK-2 Tray
Transistor IGBT Module N-CH 1.2kV 25A ±20V Screw Tray
Avnet Japan
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
ACEPACK™ 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A, trench gate field‑stop M series IGBT with soft diode and NTC, Tray
STMicroelectronics SCT
IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2
IGBT MODULE 1200V 25A ACEPACK 2
ACEPACK2 25A 1.2KV IGBT MODULE
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT143-4
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.95V; Power Dissipation Pd: 197W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals35
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.45 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current25 A
Forward Voltage2.95 V
Max Breakdown Voltage1.2 kV
Max Collector Current25 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation197 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements7
Power Dissipation197 W
Schedule B8541290080
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