STMicroelectronics 2STR1160
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.FMMT493ATA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
onsemiBC81716MTF
BC817 Series 45 V CE Breakdown .8 A NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
onsemiBC81740MTF
BC817 Series 45 V CE Breakdown .8 A NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics 2STR1160, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
Low voltage fast-switching NPN power transistor
NPN Transistor 500mW 5V 100nA 60V 60V 1A SOT-23-3, SMD, 3.04mm × 1.6mm × 1.3mm
2STR1160 NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 1 A, 60 V, 3-PIN SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Power Bipolar, NPN, 2V, 50mA, SOT-23, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
TRANS NPN LV FAST SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 500mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 250hFE; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 210mV; Current Ic Continuous a Max: 500mA; Hfe Min: 180; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min85
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
TerminationSMD/SMT
Dimensions
Height1.3 mm
Length3.04 mm
Width1.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant