STMicroelectronics 2N3440
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2013-12-17
LTD Date2014-06-17
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics 2N3440, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 1A 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
SILICON NPN TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin TO-39 Bag
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:250V; DC Current Gain Min (hfe):40; Package/Case:TO-39; Collector Current @ hfe:.02A; DC Collector Current:1A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V TO-39; Tra; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency Typ ft:15MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:160; Transistor Case Style:TO-39; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Av Current Ic:1A; Collector Emitter Voltage Vces:500mV; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic @ Vce Sat:50mA; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:20mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:15MHz; Gain Bandwidth ft Typ:15MHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-39; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:10W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:300V; Voltage Vces:300V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)450 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Current1 A
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency15 MHz
Gain Bandwidth Product15 MHz
hFE Min40
Max Collector Current1 A
Max Frequency15 MHz
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation10 W
Transition Frequency15 MHz
Voltage250 V
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Diameter9.4 mm
Height6.6 mm
Length9.4 mm
Width9.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant