Sharp GP2S60B
$ 0.378
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | GP2S60B-SHA-0 | 8.000 | 2K | 18h | ||||||||
| DigiKey | 1855-1048-1-ND | 237 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | GP2S60B | 0 | 2K | Tape & Reel | ||||||||
| Mouser | 852-GP2S60B | 16.886 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-GP2S60B | 50.000 | 170 | 4h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Sharp GP2S60B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SMT Phototransistor output Compact Reflective Photo interrupter
20mA 0.7mm SMD-4P Reflective Optical Interrupters ROHS
Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin SMT
Reflective Photoelectric Switch
Photointerrupters Photointerrupter 65~130uA
Transistor Output Optocoupler, 1-Element
PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4-PIN SMD
Aliasnamen des Herstellers
Sharp verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Sharp ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- SHARP/Socle Technology
- SHARP CORP
- SHARP CORPORATION
- SHARPELEC
- SHARP ELECTRONICS
- SHARP ELECTRONICS CORP
- Sharp Integrated Circuits
- Sharp Electronics Corporation Device Division(SECD)
- SHARP ELECTRONICS(EUROPE)GMBH
- Sharp Microelectronics
- SHARP ASIA
- Sharp Electronic Components
- SHARP ELECTRONICS CORPORATION
- JEL SYSTEM CO LTD
- Sharp DAT
- Socle Technology
- Socle Technology Corporation
- SHARP Devices Europe GmbH
- SHARP/OCIC
- SHARP ELECTRONI
- SHARP Datasheet
- SHARP/Socle
- SOCLE Technology
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -69.04%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)35 V
Dark Current100 nA
Fall Time20 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Max Breakdown Voltage35 V
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Elements1
Output TypePhototransistor
Power Dissipation100 mW
Response Time20 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage6 V
Rise Time20 µs
Sensing Distance711.2 µm
Wavelength950 nm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant