Sharp GP2S40J0000F
Obsolete
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Lieferkette
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-03-20
LTD Date2013-06-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Sharp GP2S40J0000F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Diffuse Photoelectric Sensor, 3mm Min, 3mm Max, 0.50-3mA, Rectangular, Through Hole Mount
Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin Ultra Compact DIP
Photointerrupters Photointerrupter 3.0mm
PHOTOINTERRUPTER REFLEC 3MM PC
PHOTOINTERRUPTER, SUB, MIN; No. of Channels:1; Output Type:Transistor; Input Current:50mA; Voltage, Output Max:35V; Case Style:DIP-4; Operating Temperature Range:-25°C to +85°C; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:35V; Current Ic Max:3mA; Current, If Max:50mA; External Depth:4.0mm; External Length / Height:2.4mm; No. of Pins:4; Optocoupler Type:Opto Switch; Power Dissipation:175mW; Reflective Sensing Distance:4mm; Temp, Op. Max:85°C; Temp, Op. Min:-25°C; Time, Fall:50µs; Time, Rise:50µs; Voltage, Vf Max:1.4V; Voltage, Vf Typ:1.2V; Width, External:4.0mm; Current, Ic Typ:20mA; Max Reverse Leakage Current:10.0µA
Aliasnamen des Herstellers
Sharp verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Sharp ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- SHARP/Socle Technology
- SHARP CORP
- SHARP CORPORATION
- SHARPELEC
- SHARP ELECTRONICS
- SHARP ELECTRONICS CORP
- Sharp Integrated Circuits
- Sharp Electronics Corporation Device Division(SECD)
- SHARP ELECTRONICS(EUROPE)GMBH
- Sharp Microelectronics
- SHARP ASIA
- Sharp Electronic Components
- SHARP ELECTRONICS CORPORATION
- JEL SYSTEM CO LTD
- Sharp DAT
- Socle Technology
- Socle Technology Corporation
- SHARP Devices Europe GmbH
- SHARP/OCIC
- SHARP ELECTRONI
- SHARP Datasheet
- SHARP/Socle
- SOCLE Technology
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDIP
Contact PlatingCopper, Tin
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)35 V
Current Rating20 mA
Fall Time50 µs
Forward Current20 mA
Forward Voltage1.2 V
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Supply Voltage1.4 V
Min Operating Temperature-25 °C
Min Supply Voltage1.2 V
Number of Elements1
Output Current20 mA
Output TypePhototransistor
Power Dissipation100 mW
Response Time50 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage6 V
Rise Time50 µs
Sensing Distance3 mm
Wavelength950 nm
Dimensions
Height2.4 mm
Length4 mm
Datenblätter und Dokumente
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