Samsung IRF720
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Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Datenblätter und Dokumente
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Beschreibungen
Beschreibungen von Samsung IRF720, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
Samsung verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Samsung ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- SAM
- SEC
- Samsung Semiconductor Inc
- Samsung Semiconductor
- SAMSUN
- SAMSUNG ELECTRONICS
- SAMS
- SAMSUNG LED
- SAMSUMG
- SAMSU
- SUMSUNG
- SMG
- KOREA
- SAMAUNG
- SMS
- SAMSUNG SEMI
- SAMSUNG ELECTRONICS INC
- Samsung Electronics Co Ltd
- SAMSUNG SEMICONDUCTO
- SAMSUNG ELECTRO
- SAMUNG
- SANSUNG
- Samsung Electronics (SEC)
- SMM
- SLD
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current33 A
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage400 V
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Voltage400 V
Datenblätter und Dokumente
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