Samsung IRF620A

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
SHENGYU ELECTRONICS
IRF620A
10.111
1
USD
0,306
0,300
0,290
0,280
0,270
5d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Samsung IRF620A herunter.

IHS

Datasheet6 SeitenVor 0 Jahren

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-01-01

Beschreibungen

Beschreibungen von Samsung IRF620A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS

Aliasnamen des Herstellers

Samsung verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Samsung ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • SAM
  • SEC
  • Samsung Semiconductor Inc
  • Samsung Semiconductor
  • SAMSUN
  • SAMSUNG ELECTRONICS
  • SAMS
  • SAMSUNG LED
  • SAMSUMG
  • SAMSU
  • SUMSUNG
  • SMG
  • KOREA
  • SAMAUNG
  • SMS
  • SAMSUNG SEMI
  • SAMSUNG ELECTRONICS INC
  • Samsung Electronics Co Ltd
  • SAMSUNG SEMICONDUCTO
  • SAMSUNG ELECTRO
  • SAMUNG
  • SANSUNG
  • Samsung Electronics (SEC)
  • SMM
  • SLD