ROHM UMY1NTR
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Toshiba2SA1873-Y(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Toshiba2SA1873-GR(TE85L,F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
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UMY1N Series 50 V 150 mA 150 mW NPN/PNP Emitter Common Transistor - UMT-5
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
ROHM UMY1NTR Dual NPN+PNP Bipolar Transistor, 0.15 A, 50 V, 5-Pin SC-88A | ROHM Semiconductor UMY1NTR
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 150mW 5-Pin UMT T/R
50V 150mW 120@1mA,6V 150mA 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-353-5 Bipolar Transistors - BJT ROHS
400mV@ 5mA,50mA,500mV@ 5mA,50mA NPN,PNP (Emitter Coupled) 150mW 7V@ NPN,6V@ PNP 100nA 60V 50V 150mA SOT-353-5 2mm*1.25mm*900¦Ìm
TRANSISTOR DUAL UM5 PNP/NPN; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:50mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:150mW; Min ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR DUAL UM5 PNP/NPN; Transistor Polarity: NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 150mA; DC Current Gain hFE: 120hFE; Transistor Case Style: SOT-353; No. of Pins: 5Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 400mV; Current Ic Continuous a Max: 50mA; Gain Bandwidth ft Typ: 180MHz; Hfe Min: 120; Module Configuration: Dual; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 140MHz
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-353
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current150 mA
Current Rating150 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation150 mW
Transition Frequency180 MHz
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
Datenblätter und Dokumente
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