ROHM RU1J002YNTCL
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Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM RU1J002YNTCL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 50 V 2.2 Ohm 150 mW SMT Small Signal Mosfet - UMT-3F
MOSFET, N-CH, 50V, 0.2A, SOT-323FL ROHS COMPLIANT: YES
50V 200mA 1.6Ω@4.5V,200mA 150mW 800mV@1mA 3pF@10V N Channel 26pF@10V +150℃@(Tj) SOT-323-3 MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ROHM NMOS RU1J002YN, Vds=50 V, 200 mA, SOT-323, , 3
MOSFET, N-CH, 50V, 0.2A, SOT-323FL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins85
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance2.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance26 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation150 mW
Rds On Max2.2 Ω
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.05 mm
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