ROHM RGWS60TS65DGC13
$ 2.66
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +3.40%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-09-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM RGWS60TS65DGC13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 51A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 51A 3-Pin TO-247GE Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
High-Speed Fast 650V 30A Trench IGBT
RS APAC
IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G
IGBT TRENCH FS 650V 51A TO-247G
650V 30A FRD TO-247GE FST IGBT
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +3.40%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current51 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Datenblätter und Dokumente
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