ROHM R6047ENZ1C9
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-04-15
LTD Date2020-06-30
Verwandte Teile
InfineonIPW60R070P6XKSA1
600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET, / N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW48N60DM2
N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
STMicroelectronicsSTW56N65DM2
N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
STMicroelectronicsSTW42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM R6047ENZ1C9, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 600V 47A TO247 / Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
POWER MOSFET SERIES LOW NOISE
Mosfet, N-Ch, 600V, 47A, To-247; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.066Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)47 A
Drain to Source Resistance72 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.85 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max72 mΩ
Rise Time100 ns
Threshold Voltage4 V
Datenblätter und Dokumente
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