ROHM IMT4T108
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM IMT4T108, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
IMT4 Series 120 V 50 mA SMT Dual PNP General Purpose Transistor - SC-74
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 6-Pin SMT T/R
Dual PNP Transistor, 500mV@1mA/10mA, 300mW, 5V, 500nA, 120V, 50mA, SMT-6, SMD, 2.9mm × 1.6mm × 1.1mm
TRANSISTOR DUAL SC-74 PNP/PNP; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-50mA; DC Current Gain hFE:180; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-457; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:500mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Gain Bandwidth ft Typ:140MHz; Hfe Min:180; Package / Case:SOT-457; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
TRANSISTOR DUAL SC-74 PNP/PNP; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V; Current Ic Continuous a Max:10mA; Voltage, Vce Sat Max:500mV; Power Dissipation:300mW; Min ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Current Rating-50 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product140 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage120 V
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency140 MHz
Voltage Rating (DC)-120 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant