ROHM IMH5AT108
$ 0.23
NRND
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | IMH5AT108 | 0 | 1 | 14h | ||||||||
| Mouser | 755-IMH5AT108 | 2.977 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | IMH5AT108 | 2.183 | 3500 | Tray | 9h | |||||||
| Win Source | WS-IMH5AT108 | 6.000 | 365 | 16h | ||||||||
| Worldway Electronics | IMH5AT108 | 18.804 | 7 | Tape & Reel | 15h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM IMH5AT108, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SMT T/R
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA
TRANSISTOR DUAL SC-74 NPN/NPN; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:56; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-457; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:56; Package / Case:SOT-457; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating30 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min56
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Datenblätter und Dokumente
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