ROHM HP8MA2TB1

Name: ROHM HP8MA2TB1
Brand: ROHM
SKU: HP8MA2TB1

Transistor MOSFET Array N-CH/P-CH 30V ±18A/±15A 8-Pin HSOP Emboss T/R

$ 0.89

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST68290011	1.646	1		0,834	0,834	0,573	0,517	0,512	14h
Verical	3	HP8MA2TB1	19	4			1,111	0,944	0,807	0,707
Arrow Electronics		HP8MA2TB1	19	1		1,454	1,111	1,111	1,111	1,111
DigiKey	2	HP8MA2TB1CT-ND	1.391	1	Cut Tape	2,770	1,783	1,222	0,915	0,915
TME	2	HP8MA2TB1	0	1		1,760	1,260	1,050	0,850	0,710	10h

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IHS

Datasheet21 SeitenVor 9 Jahren

Newark

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-07-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von ROHM HP8MA2TB1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET Array N-CH/P-CH 30V ±18A/±15A 8-Pin HSOP Emboss T/R

Avnet Japan

Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.0165ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

7W 20V 2.5V 22nC@ NChannel,25nC@ PChannel N+P 30V 9.6m¦¸@ 10V @ N Channel,17.9m¦¸@ 10V @ P Channelm¦¸ 15A,18A 1.1nF@ 15V @ N Channel,1.25nF@ 15V @ P Channel SOP 1.1mm

Unikeyic (ICkey)

MOSFET, N& P-CH, 30V, HSOP; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 18A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Dissipation Pd: 7W; Transistor Case Style: HSOP; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Farnell

Bilder

element14 APAC

Aliasnamen des Herstellers

ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: