ROHM DTDG14GPT100

Name: ROHM DTDG14GPT100
Brand: ROHM
SKU: DTDG14GPT100

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

$ 0.191

NRND

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST73460545	984	1		0,256	0,256	0,219	0,163	0,158	16h
Verical	2	DTDG14GPT100	6.400	100				0,278	0,278	0,278
Arrow Electronics		DTDG14GPT100	3	1		0,127	0,127	0,127	0,127	0,127
DigiKey	3	DTDG14GPT100CT-ND	5.240	1	Cut Tape	0,930	0,580	0,376	0,288	0,288
TME	2	DTDG14GPT100	0	1		0,589*	0,365*	0,276*	0,224*	0,200*	11h

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 10 Jahren

_legacy Avnet

Farnell

DigiKey

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75

Introduction Date1995-04-01

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von ROHM DTDG14GPT100, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

Trans Digital BJT NPN 70V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

Verical

DTDG14GP Series 60 V 1 A Surface Mount NPN Digital Transistor - SC-62

Future Electronics

400mV@ 5mA,500mA NPN - Pre-Biased 2W 5V 500nA 60V 1A MPT-3 4.5mm*2.5mm*1.5mm

UnikeyIC

Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min Hfe:300; ft, Typ:80MHz; Case Style:SOT-89; Termination Type:SMD

SHENGYU ELECTRONICS

element14 APAC

TRANSISTOR; DIGITAL;POWER;MPT;NPN; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 1A; Base Input Resistor R1: -; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-89; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: DTDG14G Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 400mV; Current Ic Continuous a Max: 500mA; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 300hFE; Gain Bandwidth ft Typ: 80MHz; Hfe Min: 300; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 500mW; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Case Style: SOT-89; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 80MHz

Farnell

Bilder

element14 APAC

Future Electronics

TME

Aliasnamen des Herstellers

ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Rohm Semiconductor
ROHM CO LTD
RHOM
ROH
RHM
ROHM ELECTRONICS
ROM
ROMH
ROHS
ROHN
ROHM SEMI
ROHM Semicon
ROHM CORPORATION
ROHM CORP
MIYA
Rohm Company Limited
ROHM CO
ROHM ELEC
ROHM Semiconductors
ROHM ELECTRO
ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
ROHM COMPANY LTD
ROHM INC
ROHM/MISC
ROHM/NONE

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

DTDG14GP T100

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSC

MountSurface Mount

Number of Terminals3

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage60 V

Collector Emitter Saturation Voltage400 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)70 V

Continuous Collector Current1 A

Current Rating1 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

hFE Min300

Max Breakdown Voltage60 V

Max Collector Current1 A

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current1 A

Max Power Dissipation2 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Operating Supply Voltage60 V

PackagingCut Tape

PolarityNPN

Power Dissipation2 W

TerminationSMD/SMT

Transition Frequency80 MHz

Voltage Rating (DC)60 V

Datenblätter und Dokumente

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