ROHM DTD113ZUT106
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TRANS NPN 50V 0.5A SMINI3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 160MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2-B
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM DTD113ZUT106, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
TRANSISTOR,NPN,50V,0.5A,SOT-323; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 500mA; Base Input Resistor R1: 1kohm; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resis
TRANSISTOR,NPN,50V,0.5A,SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:82; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bandwidth ft Typ:200MHz
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min82
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
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