ROHM DTC143TETL
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN1106,LF(CT
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
ToshibaRN1107,LF(CT
300mV@ 250¦ÌA,5mA NPN - Pre-Biased 100mW 6V 500nA 50V 100mA SOT-416-3 1.6mm*800¦Ìm*700¦Ìm
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM DTC143TETL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
150mV@ 250¦ÌA,5mA NPN - Pre-Biased 150mW 5V 500nA 50V 100mA SOT-523 700¦Ìm
TRANSISTOR;DIGITAL;EM3;NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd
TRANSISTOR;DIGITAL;EM3;NPN; Digital Transistor Polarity:Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2:-; Resistor Rati
Transistor, Rf, Npn, 50V, 250Mhz, Sot-416-3; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:50V; Frecuencia De Transición Ft:250Mhz; Disipación De Potencia Pd:150Mw; Corriente De Colector Dc:5Ma; Núm. De Contactos:3 |Rohm DTC143TETL
TRANSISTOR;DIGITAL;EM3;NPN; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: -; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-416; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: DTC143T Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 300mV; Current Ic Continuous a Max: 5mA; DC Collector Current: 5mA; DC Current Gain hFE: 250hFE; Gain Bandwidth ft Typ: 250MHz; Hfe Min: 100; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 150mW; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Case Style: SOT-416; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 250MHz
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-416
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
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