ROHM DTC043ZEBTL
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
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Diodes Inc.DDTC114GCA-7-F
DDTC Series NPN 50 V 100 mA 200 mW Pre-Biased Small Signal Transistor - SOT-23
onsemiFJV3115RMTF
NPN 250 mW 50 V 100 mA Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM DTC043ZEBTL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
80@5mA,10V 1 NPN - Pre Biased 150mW 100mA 50V SOT-416FL Digital Transistors ROHS
DIGITAL TRANS, 50V, 0.1A, SOT-416FL; Digital Transistor Polarity:Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm;
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Element ConfigurationSingle
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency250 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Output Voltage50 mV
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height850 µm
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