ROHM 2SD2703TL
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Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM 2SD2703TL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ROHM 2SD2703TL NPN Bipolar Transistor, 1 A, 30 V, 3-Pin TUMT | ROHM Semiconductor 2SD2703TL
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
General Purpose Transistors NPN Ic=1A Vceo=30V hfe=270~680 P=800mW SOT323T
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TUMT T/R
Transistor, Npn, 30V, 1A, Sot-323T; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:30V; Transition Frequency Ft:320Mhz; Power Dissipation Pd:400Mw; Dc Collector Current:1A; Dc Current Gain Hfe:270Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Rohm 2SD2703TL
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingCopper, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage120 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product320 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency320 MHz
Dimensions
Height820 µm
Length2.1 mm
Width1.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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