ROHM 2SD2700TL
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Verwandte Teile
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM 2SD2700TL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 12V 2A 800mW 3-Pin TUMT T/R
180mV@ 50mA,1A NPN 800mW 6V 100nA 15V 12V 2A SOT-323-3 2mm*1.7mm*770¦Ìm
Transistor, Npn, 12V, 2A, Sot-323T; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:12V; Transition Frequency Ft:360Mhz; Power Dissipation Pd:400Mw; Dc Collector Current:2A; Dc Current Gain Hfe:270Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Rohm 2SD2700TL
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingCopper, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins70
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)15 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product360 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency360 MHz
Voltage Rating (DC)12 V
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