ROHM 2SCR502UBTL
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
onsemiMSD1328-RT1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 500mA 2V 100nA ICBO 200mW 25V
ROHM2SCR523UBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SCR522UBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMUMT2907AT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM 2SCR502UBTL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
30V 200mW 200@100mA,2V 500mA NPN SOT-323(SC-70) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMTF T/R
NPN Driver Transistor - Bipolar Transistor
ROHM NPNTransistor, SOT-323FLencapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current500 mA, maximum collector-emission voltage30 V
TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.5A, SOT-323FL; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 360MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 200hFE;
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins85
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product360 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Transition Frequency360 MHz
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