ROHM 2SB1705TL
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Bipolar Transistors (BJT); NSVMMBT5401LT3G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 500 mV; 500 mA
PanasonicDSA2401R0L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM 2SB1705TL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 12V 3A 3-Pin TSMT T/R
250mV@ 30mA,1.5A PNP 500mW 6V 100nA 15V 12V 3A TSMT-3 2.9mm*1.6mm*850¦Ìm
TRANSISTOR,PNP,12V,3A,TSMT3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-12V; Gain Bandwidth ft Typ:280MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:270; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-15 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage-120 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current-3 A
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Gain Bandwidth Product280 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Transition Frequency280 MHz
Voltage Rating (DC)-12 V
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