Rochester Electronics FDN360P

2000MA, 30V, P-channel, Si, Small Signal, Mosfet, SUPERSOT-3
Datenblatt
Herstellerseite

Angebotsanforderung einreichen

Leider sind uns keine Distributoren für FDN360P bekannt. Bitte lassen Sie uns wissen, wenn Sie einen bekannten Distributor haben, damit wir ihn in unsere Datenbank aufnehmen können, oder fordern Sie ein Angebot von einem unserer Partner an.

Sende eine RFQ-Anfrage an eine Gruppe von Distributoren, die sich auf die Suche nach schwer zu findenden Teilen spezialisiert haben.

Angebotsanfrage (Request for Quotation, RFQ)

Diese Anfrage wird an die angegebenen Lieferanten geschickt.
(* kennzeichnet ein Pflichtfeld)

Angebotsanfrage
Lieferanten *
Kontaktdetails
Der Kauf bei nicht autorisierten Händlern ist mit einem erhöhten Risiko verbunden. Teile können fehlerhaft, falsch beschriftet, gefälscht oder nicht von der Garantie abgedeckt sein. Bitte lesen Sie mehr über unsere Einstufungen der Distributoren.

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Rochester Electronics FDN360P herunter.

element14 APAC

Datasheet5 SeitenVor 23 Jahren

Farnell

Jameco (USA)

Fairchild Semiconductor

iiiC

Beschreibungen

Beschreibungen von Rochester Electronics FDN360P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

2000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3
Utmel Electronic
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-30V; Continuous Drain Current, Id:2A; On Resistance, Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:20V ;RoHS Compliant: Yes
Newark
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Fairchild Semiconductor
MOSFET, P, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V; Power Dissipation Pd:500mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2A; Current Temperature:25°C; Device Marking:FDN360P; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:500mW; Power Dissipation Pd:500mW; Pulse Current Idm:20A; SMD Marking:360; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:-3V
element14 APAC

Bilder

element14 APAC
Newark
Farnell
element14 APAC
Distrelec
Jameco (USA)
iiiC
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Rochester Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Rochester Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Rochester Electronics LLC
  • ROCHESTER
  • ROCHESTER ELECTRONICS INC
  • ROCHESTER ELECTRONIC
  • Rochester Electron
  • ROCHESTER(REI)
  • ROCHESTER INSTRUMENT
  • REI
  • NFROCHESTER
  • ROCHESTER ELECT INC
  • Rochester(Intersil)
  • Rochester Elec