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Beschreibungen
Beschreibungen von Rochester Electronics FDN336P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
MOSFET, P, SMD, 3-SUPERSOT; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-900mV; Power Dissipation Pd:500mW; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:1.2A; Package / Case:SuperSOT-3; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-900mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics applications: load switching and power management, battery charging circuits and DC/DC conversion.
Aliasnamen des Herstellers
Rochester Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Rochester Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rochester Electronics LLC
- ROCHESTER
- ROCHESTER ELECTRONICS INC
- ROCHESTER ELECTRONIC
- Rochester Electron
- ROCHESTER(REI)
- ROCHESTER INSTRUMENT
- REI
- NFROCHESTER
- ROCHESTER ELECT INC
- Rochester(Intersil)
- Rochester Elec
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.2 A
Current Rating-1.3 A
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Power Dissipation500 mW
Voltage Rating (DC)-20 V
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