Renesas HIP2211FRTZ

Name: Renesas HIP2211FRTZ
Brand: Renesas
SKU: HIP2211FRTZ

Gate Driver, Mosfet, 2-Ch, Dfn-Ep-10 Rohs Compliant: Yes |Renesas Electronics Corporation HIP2211FRTZ

$ 1.5

Production

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Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	HIP2211FRTZ	0	1		2,200	1,920	1,600	1,500	1,140
Avnet	HIP2211FRTZ	0	2250							16h
Farnell	HIP2211FRTZ	0	1		1,008*	1,008*	0,981*	0,981*	0,981*	14h
Worldway Electronics	HIP2211FRTZ	20.781	7	Tube		0,875	0,848	0,804	0,804	13h
Easev	HIP2211FRTZ	34.070			0,396	0,396	0,377	0,345	0,285	3d

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Renesas

Datasheet28 SeitenVor 6 Jahren

IHS

Integrated Device Technology

CAD-Modelle

Pin-Tabelle

Nummer

Kategorie

Anzeigename und Funktionen

Modellinformationen

Beschafft von	Renesas
Veröffentlichungsdatum	Aug 13, 2025
IPC-konform	IPC-7351B
Überarbeitung des Styleguides	Version 1.0 - Nov 1, 2024
Datenblattquelle	Version 1.01 - Jun 23, 2020

Verifizierung

Auf der Grundlage des Styleguides und des Datenblatts für diesen Teil haben drei unabhängige Experten für Elektrotechnik Folgendes erstellt:

3 Versionen des Symbols und des 2D-Footprints
1 Version des 3D-STEP-Modells (STEP-Format AP-214)
Eine Farbpalettenkonfiguration für einen Hersteller

Alle erstellten Bibliotheksdateien sind unabhängig von der Ebenen-Zuordnung und können einfach Ihrem Design zugeordnet werden.

Die erstellten Symbole und Footprints werden dann anhand der folgenden Prüfungen verglichen:

Symbol

Automatisierte Prüfungen

Teilenummer
Wichtige Parameter
Paketcode
Pin-Namen/-Nummern
Pin-Typen

Manuelle Überprüfungen

Pin-Organisation gemäß Stilrichtlinie

Fußabdruck

Automatisierte Prüfungen

IPC-Standard
Siebdruckfreigabe
Courtyard-Überschreitung
Paketübersicht
Polaritätsmarkierung
Überprüfung der Größe und Position des Pads

3D-STEP-Modell

Manuelle Überprüfungen

Dimensionsüberprüfung
Einhaltung der Farbpaletten
Einhaltung der Formatvorgaben
Zuordnung der Ausrichtung zum 2D-Footprint
Positionsüberprüfung zum 2D-Footprint

Ein abschließender Verifizierungsprozess wird durchgeführt:

Wenn Symbole und Footprints übereinstimmen: Das Teil wird als ECAD-fähig verifiziert

Wenn Symbole und Footprints nicht übereinstimmen: Ein Senior Electronics Engineer überprüft alle Unterschiede, um sicherzustellen, dass das Bauteil den Anforderungen des Styleguides und des Datenblatts entspricht.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:

Restocked

Lieferkette

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8540000000

Introduction Date2020-06-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Renesas HIP2211FRTZ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Gate Driver, Mosfet, 2-Ch, Dfn-Ep-10 Rohs Compliant: Yes |Renesas Electronics Corporation HIP2211FRTZ

Newark

100V, 3A Source, 4A Sink, High Frequency Half-Bridge Drivers with HI/LI Input

Renesas

HIP2211 Series 100 V 4 A SMT Sink High Frequency Half-Bridge Driver - TDFN-10

Future Electronics

Half Bridge Based MOSFET Driver, 4A, PDSO10

IHS

100V/4A HI/LI HALF BRIDGE DRIVER

Easev

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN

DigiKey

Bilder

Renesas

Aliasnamen des Herstellers

Renesas verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Renesas ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Renesas Electronics
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
RENESA
REN
RENES
RENESAS TECHNOLOGY CORP
RENESAS TECHNOLOGY
Renesas Electronics Corporation
RENESAS ELECTRONICS CORP
RENSAS
RENASAS
Renesas / Intersil
RNS
RENESAS-PB
RENESASTEC
RENESES
Renesas Technology America
Renesas Design Germany GmbH
Renesas / IDT
RENESASE
RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
Renesas Electronics Operations Services Limited
RENEASAS
RENESAS/M

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDFN

MSL3

MountSurface Mount

Number of Pins10

Number of Terminals10

Technical

Fall Time20 ns

Part FamilyHIP2211

Max Operating Temperature125 °C

Max Output Current4 A

Max Power Dissipation440 mW

Max Supply Current2.32 mA

Max Supply Voltage18 V

Min Operating Temperature-40 °C

Min Supply Voltage6 V

Number of Circuits1

Operating Supply Voltage12 V

Overload ProtectionProgrammable dead time

Power Dissipation440 mW

Propagation Delay15 ns

RAM Size24 kB

Rise Time20 ns

Dimensions

Height750 µm

Height - Seated (Max)750 µm

Length4 mm

Pitch800 µm

Terminal Pitch800 µm

Width4 mm

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Offizielles DatenblattVor 5 Jahren

Compliance

Umweltklassifizierung

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Compliance-Erklärungen

Reach Statement2 SeitenVor 12 Jahren

Conflict Mineral Statement2 SeitenVor 12 Jahren