Diodes Inc. RMP2N60LD

MOSFET, Rds-on - 3500mOhms, Total Gate Charge typ - 10nQ, Max Power Dissipation - 44W, Vgs(th) - 3V, Polarity -...
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Onlinecomponents.com
RMP2N60LD
0
2500
Bulk
USD
0,198
Master Electronics
RMP2N60LD
0
2500
USD
0,198

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. RMP2N60LD herunter.

IHS

Datasheet11 SeitenVor 9 Jahren

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-02-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. RMP2N60LD, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Rds-on - 3500mOhms, Total Gate Charge typ - 10nQ, Max Power Dissipation - 44W, Vgs(th) - 3V, Polarity - N-Channel
New Yorker Electronics
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated