Optek OPB880T51Z
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Lieferkette
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Optek OPB880T51Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
OPB880 Series 30 V 890 nm 50 mA Phototransistor Slotted Optical Switch
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output SLT 880 PHOTO TRAN
890nm Through-Beam 3.18mm Phototransistor 4.5V , 24.63mm*6.35mm*10.92mm
SENSOR, SLOTTED OPTICAL SWITCH, 3.18MM SLOT, 2V EMITTER, 30V DETECTOR, 30 MA
3.11 mm SLOT WIDTH 1 CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCH TRANSISTOR OUTPUT
Photointerrupter Transmissive 3.18mm Phototransistor 4-Pin Bag
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
PHOTO INTERRUPTER, THROUGH BEAM, 3.175MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Panel / Chassis; Gap Width: 3.18mm; Aperture Width: 1.27mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 2V; Forward Voltage: 1.3V; Pro
Aliasnamen des Herstellers
Optek verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Optek ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -17.05%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountChassis Mount, Screw, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.3 V
Input Current20 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Current30 mA
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.175 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength890 nm
Dimensions
Height15.75 mm
Length24.63 mm
Width6.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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