Optek OPB861N51
$ 2.923
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Onlinecomponents.com | OPB861N51 | 0 | 500 | Bulk | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | OPB861N51 | 0 | 500 | Bulk | 13h | |||||||
| Master Electronics | OPB861N51 | 0 | 500 | |||||||||
| Microchip USA | OPB861N51 | 380 | 150 | Bulk | 14h | |||||||
| Component Stockers USA | OPB861N51 | 1.738 | 2d |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Optek OPB861N51, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Slotted Opt Switch
Photointerrupter Transmissive 3.18mm Phototransistor 4-Pin
SENSOR, SLOTTED OPTICAL SWITCH, 3.18MM SLOT, 2V EMITTER, 30V DETECTOR, 30 MA
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3.11mm Slot Width
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
Aliasnamen des Herstellers
Optek verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Optek ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Technische Spezifikationen
Physical
MountChassis Mount, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.175 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength880 nm
Datenblätter und Dokumente
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