Optek OPB857Z
$ 5.99
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Lieferkette
Country of OriginMexico
Introduction Date2006-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
HoneywellHOA7720-M11
SENSOR, CONNECTORIZED TRANSMISSIVE OPTOSCHMITT, TRANSISTOR OUTPUT, PLASTIC PKG
OmronEE-SX3009-P1
Retroreflective Photoelectric Sensor, -.3mm Min, 0.3mm Max, 0.30-10V, Rectangular
OmronEE-SX4009-P10
Inverter Drive 11 kW; 3-Phasein; 380 to 480Vac; 25A; 0.1 to 400Hz Out; RS485 ModBus
Beschreibungen
Beschreibungen von Optek OPB857Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
890nm Through-Beam 3.81mm Phototransistor wire mounting£¬base mount 15.49mm*14.76mm*18.8mm
OPB857 Series 30 V 890 nm 50 mA NPN Phototransistor Slotted Optical Switch
OPTICAL SENSOR TRANSMISSIVE / SLOTTED IN; OPTICAL SENSOR TRANSMISSIVE / SLOTTED INTERRUPTER; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Panel / Chassis; Gap Width: 3.81mm; Aperture Width: 1.52mm; Forward Current If: 50m
Optical Sensor Transmissive/Slotted Interrupter; Sensor Output:Fototransistor; Corriente Directa If:50Ma; Tensión Directa:1.7V; Tensión Inversa Vr:2V; Anchura De Apertura:1.52Mm; Anchura Del Espacio/Hueco:3.81Mm; Gate Width:0.15" |Tt Electronics / Optek Technology OPB857Z
Aliasnamen des Herstellers
Optek verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Optek ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Technische Spezifikationen
Physical
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Operating Temperature80 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance3.81 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength890 nm
Datenblätter und Dokumente
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